日本のTDKは、現在広く普及しているフラッシュメモリの有望な代替品として注目される新しいメモリチップ技術のプロトタイプを初めて公開した。
スピントランスファートルク MRAM は、SRAM や DRAM などの短期ストレージ技術と同じくらい高速にデータの読み書きができるという利点がありますが、不揮発性メモリであるため、フラッシュメモリのように長年にわたって内容を保持できます。
MRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）技術は以前から存在していましたが、TDKが開発中のMRAMははるかに新しいものです。この技術はデータを磁荷として保存し、スピントランスファートルク効果にちなんで名付けられました。スピントランスファートルク効果は、電子の角運動量を利用して磁場を変化させ、データを書き込む際に利用されます。
マーティン・ウィリアムズ 2014年10月8日、TDKはCeatec JapanでSTT-MRAMチップのウエハを展示した。
TDKは数年前からSTT-MRAMの開発に取り組んできたが、今週東京近郊で開催されるCeatecまで公に実演したことはなかった。
このイベントで、TDK は、同じタスクを実行する NOR フラッシュ チップと並んで、データを繰り返し読み書きする STT MRAM チップのプロトタイプを展示します。
水曜日には、MRAM ユニットはフラッシュ メモリよりも約 7 倍高速にデータの読み書きを実行していました。
マーティン・ウィリアムズTDKはまた、カリフォルニア州ミルピタスに拠点を置くTDK傘下のヘッドウェイ・テクノロジーズが試験用に製造したMRAMチップの8インチウエハーも展示した。ヘッドウェイはメモリチップを大量生産する能力を持っていないため、TDKはこの技術を商業化する際にはチップ製造のパートナーを見つける必要がある。
MRAMチップがいつ普及するかはまだ予測できないが、TDKは、この技術が大量生産できるほど成熟するまでには10年かかる可能性があると述べている。
STT-MRAM チップの商品化を試みているのは TDK だけではありません。
現在、同社の主な競合相手はアリゾナ州チャンドラーに本拠を置くエバースピン・テクノロジーズである。
Everspin はすでに少量の STT-MRAM の出荷を開始しており、Buffalo Memory のソリッド ステート ディスク ドライブ内のキャッシュ メモリなど、一部の製品に搭載されています。
