ブロードコムの会長兼最高技術責任者（CTO）であるヘンリー・サミュエリ氏によると、半導体業界は今後数年間で大きな変化を迎えるという。サミュエリ氏は1991年に通信用半導体大手の共同創業者となり、現在ではネットワーク、ビジネス、コンシューマー向け製品などあらゆる製品向け部品で年間80億ドル以上の売上高を上げている。今週初めにサンフランシスコで開催されたCES開幕前のイベントに、サミュエリ氏はカリフォルニア州アーバインの本社から同社を訪れ、IDG News Serviceのインタビューに応じ、デバイス、モバイルネットワーク、そして不確かなシリコンの未来について語った。
これは会話の編集された記録です。
IDG ニュース サービス: Broadcom はすでに 5G セルラーに取り組んでいますか?
ヘンリー・サミュエリ：まだ構想段階です。現在、積極的な開発プログラムはありませんが、標準化団体には人材がいます。実際、ルネサスモバイルを買収した今、ルネサスモバイルチームには先進的な標準規格に注力するチームがありました。メンバーの多くはLTE-Advancedの様々なバリエーションを検討していますが、さらにその先、いわゆる5G領域、つまり超高密度スモールセルやビームステアリングアンテナといった技術にも注目しています。つまり、これはあくまでも探索的なフロントエンド作業であり、もちろん実際の製品開発は行っていません。
IDGNS:携帯電話のバッテリー寿命について他に何かできることはありますか?
サムエリ：28nmから16nm、そして10nmへと進むにつれて、チップの消費電力は確かに低下します。しかし残念ながら、人々は依然として速度競争に明け暮れており、2GHz、2.5GHz、3GHzで動作するより高速なコアの開発に取り組んでいます。その結果、消費電力は再び上昇しています。
仮に2GHzで十分だと仮定し、次の技術に移行すれば、消費電力は実際に低下するでしょう。電力管理の改善とプロセス技術の進化によって、バッテリー寿命は延びるはずです。しかし、現在の1日ではなく1週間も長くなることはありません。残念ながら、飛躍的な進歩は見込めません。バッテリー技術は着実に進歩しているだけで、劇的な進歩ではありません。携帯電話を夜間に充電する必要がなくなるとは思えません。
IDGNS: Broadcom は速度戦争に終止符を打つつもりでしょうか?
サミュエリ：難しいですね。業界全体での判断になることが多いです。だって、端末の筐体に大きく書かれた数字の方が（たとえ体験が変わらないとしても）好きなんですから。それは「ジョーンズ氏に追いつく」ということですから。そうするしかないでしょうが、最終的には業界はクロック周波数を数百MHz上げるよりもバッテリー寿命の方が重要だと判断するでしょう。Appleは既にその段階に達しています。iOS 7を動かすのに必要なだけのアプリ用プロセッサを設計したのです。
IDGNS ヘンリー・サミュエリ
IDGNS:さまざまな OS に対応する必要があるため、速度を選択してそれに固執する点では、Apple は Broadcom よりも有利な立場にあります。
サミュエリ：まさにその通りです。私たちはあらゆるニーズに対応しなければなりません。もしより高速なプロセッサが必要なら、私たちもそれを提供する必要があります。ですから、今後数年間はスピード競争が続くでしょうが、最終的には落ち着いて、人々はバッテリー寿命の方が重要だと判断するようになると思います。
IDGNS:受信状態はどうですか？携帯電話の受信状態を良くするために何かできることはありますか？
サミュエリ：はい。LTE-Advancedと5Gではそれが実現するでしょう。基本的に、セルサイズを小さくする必要があることが最も重要です。いわゆるMIMO（Multiple In Multiple Out）技術、つまり複数のアンテナは、Wi-Fiで既にその価値が実証されています。しかし、肝心なのは、アクセスポイントやセルラーインフラに近いほど、信号が強くなるということです。しかし、その導入には非常に長い年月がかかります。
IDGNS:これまで数々の好景気と不況を経験してきましたが、今はバブルなのでしょうか？
サミュエリ：バブルとは見ていません。半導体業界にバブルは確かにありません。しかし、ソフトウェアとソーシャルネットワーキングの世界は確かに大きな盛り上がりを見せており、ハードウェア業界よりも少し盛り上がっているかもしれません。しかし、1998～99年頃の水準にはまだまだ遠く及びません。
IDGNS:ムーアの法則の終焉は近づいているのでしょうか?
Samueli:今はまだ実現していませんが、目の前に見えています。15年後を見据えると、現在は28nmですが、16nm、14nmの開発が進められており、さらに10nmの先、そして10nmから7nm、そして5nmへと進む可能性もあるでしょう。しかし、それ以上の進化を遂げられるとは思えません。つまり、ムーアの法則はあと3世代ほどで限界を迎えるでしょう。5nmトランジスタでは、シリコン原子間の間隔は0.5ナノメートルです。つまり、5nmゲートでは10個のシリコン原子がゲートを通過します。原子の数は指で数えられるほどです。それを超える進化は難しいでしょう。おそらく15年後には、ムーアの法則は終焉を迎えるでしょう。
IDGNS:次は何が起こるのでしょうか?
サミュエリ：次に何が来るかは明らかではありません。根本的な物理的限界があるからです。そこには物質、分子、原子が必要ですが、スペースが不足しています。何もないところからトランジスタを作ることはできません。
IDGNS:おそらく、あなたはこれについて何か行動を起こしているか、検討中だと思います。
サミュエリ：そうですね、私たちはそれについてよく考えています。企業にとって、チップの設計方法において、単に次のノードに飛びついてチップを縮小するだけでなく、より革新的なアプローチを取る機会が生まれます。今日のアナログIC（集積回路）業界全体を見てみると、古い技術を基盤としています。そして、製品開発においては、プロセスにおけるイノベーションではなく、設計におけるイノベーションが重視されています。デジタルの世界でも、同じようなことが起こると思います。
しかし、いずれエンドユーザーは、より高速なコンピュータやより高速な携帯電話を購入できなくなります。15年後、20年後には、いずれ横ばいになるでしょう。
